申请号/专利号: 200580011949 本发明提供一种黄铜矿型薄膜太阳能电池用光吸收层的制造方法,具备黄铜矿类化合物(Cu(In+Ga)Se↓[2])的构成成分在内部均匀分布的膜构造。本发明的光吸收层的制造方法包括:(1)在Mo电极层上利用溅射法层叠与该电极层邻接的In金属层和Cu-Ga合金层的前体形成工序;(2)在将形成有前体的基板(1)收纳于气密空间的状态下,向室温~250℃的温度范围的该空间内导入硒化氢气体的第一硒化工序;(3)向升温到250℃~450℃的温度范围的气密空间内追加导入硒化氢气体的第二硒化工序;(4)在残留到第二硒化工序为止导入的硒化氢气体的状态下,将气密空间内升温到450℃~650℃的温度范围,在该温度范围条件下进行上述基板的热处理的第三硒化工序;(5)将热处理后的基板冷却的冷却工序。
申请日: | 2005年04月08日 |
公开日: | 2007年04月04日 |
授权公告日: | 2009年01月28日 |
申请人/专利权人: | 本田技研工业株式会社 |
申请人地址: | 日本东京都 |
发明设计人: | 久米智之;小丸贵史 |
专利代理机构: | 中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人: | 李贵亮 |
专利类型: | 发明专利 |
分类号: | H01L31/04;H01L21/363 |
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