申请号/专利号: 00110288 一种铜膜的制备方法,其特征在于:以晶粒尺寸小于100nm的纳米金属Cu为原材料,纯度高于99.995wt%,密度为8.91±0.03g/cm↑[3],在室温冷轧,变形速率:1×10↑[-5]~1×10↑[1]/s。本发明制备出的铜膜表面质量好,可以达到很薄的厚度,并且工艺简单,使用普通的轧制设备即可实现。
申请日: | 2000年04月05日 |
公开日: | 2001年10月10日 |
授权公告日: | 2003年07月30日 |
申请人/专利权人: | 中国科学院金属研究所 |
申请人地址: | 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号 |
发明设计人: | 卢磊;斯晓;陶乃镕;隋曼龄;卢柯 |
专利代理机构: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 |
代理人: | 张晨 |
专利类型: | 发明专利 |
分类号: | B21B1/40;C22F1/08 |
以上信息仅供参考