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    铜沉淀方法

    放大字体  缩小字体 发布日期:2009-04-27   作者:佚名
    铜之家讯:申请号/专利号: 00813451用于把铜可控地沉淀在工件暴露表面,例如半导体表面上的方法和系统。铜的颗粒厚度可选择地沉淀在所述暴露

    申请号/专利号: 00813451 用于把可控地沉淀在工件暴露表面,例如半导体表面上的方法和系统。铜的颗粒厚度可选择地沉淀在所述暴露表面上,最好使用无氧液体氨来加强该沉淀。然后在适当的压力和温度下,把所述工件暴露表面浸入到包括铜和液体氨的电镀溶液中,并以可控速率把铜电镀在所述暴露表面上。当沉淀在所述暴露表面上的铜达到选定的总厚度时,停止电镀,除去电镀溶液,并回收气态氨与液体氨以循环再利用。

    申请日: 2000年08月08日
    公开日: 2002年11月27日
    授权公告日: 2004年09月22日
    申请人/专利权人: 莱泰克公司
    申请人地址: 美国加利福尼亚
    发明设计人: 加利·W·弗雷尔
    专利代理机构: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
    代理人: 付建军
    专利类型: 发明专利
    分类号: H01L21/32;H01L21/44

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